Pencegahan penipuan dan kecacatan
Pemeriksaan visual dan pembungkusan
Pengesahan prestasi elektrik
Emel Perkhidmatan:
[email protected]
>
SIR184DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
15247 Pcs Baru Asli Dalam Stok
N-Channel 60 V 20.7A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Minta Sebut Harga
(Berlayar esok)
*Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (229 Penilaian)
SIR184DP-T1-RE3
Gambaran Produk
13007589
DiGi Electronics Nombor Bahagian
SIR184DP-T1-RE3-DGPengeluar
Vishay Siliconix
SIR184DP-T1-RE3
Penerangan
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAKInventori
15247 Pcs Baru Asli Dalam Stok
N-Channel 60 V 20.7A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
Pembelian dan pertanyaan
Waranti & Pemulangan
Cara Untuk Memesan
Penghantaran & Penghantaran
Jaminan Kualiti
Jaminan Kualiti 365 Hari - Setiap bahagian disokong sepenuhnya.
Pengembalian Wang 90 Hari atau Pertukaran - Bahagian Rosak? Tiada masalah.
Stok Terhad, Tempah Sekarang - Dapatkan alat ganti yang boleh dipercayai tanpa risau.
Penghantaran Global & Pembungkusan Selamat
Penghantaran Seluruh Dunia dalam 3-5 Hari Perniagaan
Pembungkusan Anti-Statik ESD 100%
Pengesanan Masa Nyata untuk Setiap Pesanan
Pembayaran Selamat & Fleksibel
Kad Kredit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pemindahan Telegraphic (T/T) dan lain-lain
Semua pembayaran disulitkan untuk keselamatan
SIR184DP-T1-RE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
Transistor, FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pembungkusan
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Siri
TrenchFET® Gen IV
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Status Bahagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
20.7A (Ta), 73A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
7.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1490 pF @ 30 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Nombor Produk Asas
SIR184
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Muat Turun SIR184DP-T1-RE3 Spesifikasi Produk (PDF)
Lembaran Data HTML
SIR184DP-T1-RE3-DG
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
DiGi Electronics의 빠른 배송과 엄선된 제품 품질에 감탄했습니다.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
每次的物流服務都非常及時且專業，值得推薦。
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
他們的物流安排很有條理，每次都按時送達，沒有延誤。
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
Their approachable and friendly staff makes working with them a pleasure.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
Their after-sales team provides follow-up support that truly addresses our needs.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
Their quick response and efficient delivery exceeded my expectations.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Soalan Lazim (FAQ)
Apakah ciri utama MOSFET Vishay SIR184DP-T1-RE3?
Vishay SIR184DP-T1-RE3 adalah MOSFET Kuasa N-Halus dengan voltan salur keluar-kejuruteraan sebanyak 60V, mampu mengendalikan arus salur keluar berterusan sehingga 20.7A pada suhu 25°C dan arus puncak berdenyut sebanyak 73A. Ia mempunyai pakej PowerPAK® SO-8 yang kompak, dioptimumkan untuk aplikasi permukaan pemasangan, dan menawarkan Rds On yang rendah untuk penukaran yang cekap.
Adakah MOSFET Vishay SIR184DP-T1-RE3 sesuai digunakan dalam pelbagai litar elektronik?
Ya, MOSFET ini sesuai untuk pelbagai aplikasi pengurusan kuasa dan penukaran kerana kapasiti arus tinggi, Rds On yang rendah, dan julat suhu operasi yang luas dari -55°C hingga 150°C. Ia biasa digunakan dalam bekalan kuasa, pemacu motor, dan litar berarus tinggi yang lain.
Apakah kelebihan pakej PowerPAK® SO-8 untuk MOSFET ini?
Pakej PowerPAK® SO-8 menawarkan prestasi termal yang cemerlang dan saiz yang ringkas, membantu dalam penghapusan haba yang cekap dan reka bentuk penjimatan ruang. Ia juga memudahkan pemasangan permukaan, menjadikannya sesuai untuk papan litar bercirikan padat tinggi.
Bagaimana prestasi MOSFET Vishay SIR184DP-T1-RE3 dari segi pemindahan kuasa dan kecekapan?
MOSFET ini mampu memindahkan kuasa sehingga 5W (pada suhu persekitaran) dan mempunyai Rds On yang rendah sebanyak 5.8mΩ pada arus 10A dan voltan 10V, yang menyumbang kepada pengurangan kerugian konduksi, kecekapan tinggi, dan operasi yang boleh dipercayai dalam aplikasi penukaran kuasa.
Bagaimanakah saya boleh membeli dan apakah jaminan untuk MOSFET Vishay SIR184DP-T1-RE3?
Vishay SIR184DP-T1-RE3 tersedia dalam pembungkusan pita dan reel untuk pembelian pukal yang mudah. Sebagai produk baharu dan tulen, ia biasanya disertakan dengan jaminan standard dan sokongan daripada pembekal sah; sila semak dengan pengedar anda untuk polisi jaminan yang spesifik.
Jaminan Kualiti (QC)
DiGi memastikan kualiti dan keaslian setiap komponen elektronik melalui pemeriksaan profesional dan pensampelan kumpulan, menjamin sumber yang boleh dipercayai, prestasi yang stabil, dan pematuhan kepada spesifikasi teknikal, membantu pelanggan mengurangkan risiko rantaian bekalan dan menggunakan komponen dengan keyakinan dalam pengeluaran.
SIR184DP-T1-RE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR184DP-T1-RE3 PCB symbols & footprints
productDetail
