Pencegahan penipuan dan kecacatan
Pemeriksaan visual dan pembungkusan
Pengesahan prestasi elektrik
Emel Perkhidmatan:
[email protected]
>
SISS05DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
9343 Pcs Baru Asli Dalam Stok
P-Channel 30 V 29.4A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Minta Sebut Harga
(Berlayar esok)
*Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (160 Penilaian)
SISS05DN-T1-GE3
Gambaran Produk
12786356
DiGi Electronics Nombor Bahagian
SISS05DN-T1-GE3-DGPengeluar
Vishay Siliconix
SISS05DN-T1-GE3
Penerangan
MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAKInventori
9343 Pcs Baru Asli Dalam Stok
P-Channel 30 V 29.4A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
Pembelian dan pertanyaan
Waranti & Pemulangan
Cara Untuk Memesan
Penghantaran & Penghantaran
Jaminan Kualiti
Jaminan Kualiti 365 Hari - Setiap bahagian disokong sepenuhnya.
Pengembalian Wang 90 Hari atau Pertukaran - Bahagian Rosak? Tiada masalah.
Stok Terhad, Tempah Sekarang - Dapatkan alat ganti yang boleh dipercayai tanpa risau.
Penghantaran Global & Pembungkusan Selamat
Penghantaran Seluruh Dunia dalam 3-5 Hari Perniagaan
Pembungkusan Anti-Statik ESD 100%
Pengesanan Masa Nyata untuk Setiap Pesanan
Pembayaran Selamat & Fleksibel
Kad Kredit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pemindahan Telegraphic (T/T) dan lain-lain
Semua pembayaran disulitkan untuk keselamatan
SISS05DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
Transistor, FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
TrenchFET® Gen IV
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
29.4A (Ta), 108A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+16V, -20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4930 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8S
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8S
Nombor Produk Asas
SISS05
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Muat Turun SISS05DN-T1-GE3 Spesifikasi Produk (PDF)
Lembaran Data HTML
SISS05DN-T1-GE3-DG
Helaian data
SiSS05DN
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
SISS05DN-T1-GE3CT
SISS05DN-T1-GE3DKR
SISS05DN-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
DiGi Electronics의 빠른 배송과 뛰어난 품질에 항상 감사드리며, 적극 추천드립니다.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
가성비 좋은 제품들 덕분에 비용 대비 효율이 정말 높습니다.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
고객의 목소리를 소중히 들어주는 자세가 인상적입니다.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
他們的產品設計細心且品質優良，用起來非常放心，售後服務也令人放心。
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
這次購物的配送速度令人驚喜，幾乎是買完隔天就到手了，超乎想像的快速！
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
購入後のフォローもきちんとしていて、満足しています。
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
Their response to my inquiries has always been swift and helpful, reflecting excellent customer care.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
The materials and overall design are both exceptional.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
Impressed by their swift response and professional handling of my order.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
Affordable and reliable—DiGi is my preferred electronics provider.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Soalan Lazim (FAQ)
Apakah ciri utama MOSFET Vishay P-Channel SISS05DN-T1-GE3?
MOSFET ini menampilkan voltan drain-sumber sebanyak 30V, arus drain berterusan sebanyak 29.4A, dan menggunakan pakej PowerPAK® 1212-8S permukaan-mount, menjadikannya sesuai untuk aplikasi kuasa berarus tinggi dengan pengurusan haba yang cekap.
Adakah MOSFET Vishay P-Channel ini serasi dengan voltan lampiran litar standard?
Ya, ia beroperasi dengan voltan gerbang hingga 16V dan direka untuk aplikasi yang memerlukan MOSFET P-channel dengan Vds maksimum 30V, memastikan keserasian yang luas dengan voltan bekalan kuasa biasa.
Apakah kelebihan utama menggunakan MOSFET siri Vishay TrenchFET® Gen IV?
Siri TrenchFET® Gen IV menawarkan Rds(on) yang rendah untuk mengurangkan kerugian konduksi, kapasiti pengendalian arus yang tinggi, dan prestasi haba yang cemerlang, meningkatkan kecekapan dan kebolehpercayaan keseluruhan sistem.
Bolehkah MOSFET Vishay SISS05DN-T1-GE3 digunakan untuk aplikasi suhu tinggi?
Ya, MOSFET ini beroperasi dalam julat suhu dari -55°C hingga 150°C dan mempunyai kapasiti penyerapan kuasa yang tinggi (sehingga 65.7W pada Tc), sesuai untuk persekitaran suhu tinggi yang mencabar.
Apakah pilihan sokongan dan jaminan yang tersedia untuk pembelian MOSFET P-Channel Vishay?
Produk ini tersedia dalam stok sebagai item asal baharu, dan biasanya, Vishay menawarkan sokongan jaminan pengilang. Sila hubungi pengedar atau pembekal anda untuk maklumat terperinci mengenai jaminan dan perkhidmatan selepas jualan.
Jaminan Kualiti (QC)
DiGi memastikan kualiti dan keaslian setiap komponen elektronik melalui pemeriksaan profesional dan pensampelan kumpulan, menjamin sumber yang boleh dipercayai, prestasi yang stabil, dan pematuhan kepada spesifikasi teknikal, membantu pelanggan mengurangkan risiko rantaian bekalan dan menggunakan komponen dengan keyakinan dalam pengeluaran.
SISS05DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISS05DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
