Pencegahan penipuan dan kecacatan
Pemeriksaan visual dan pembungkusan
Pengesahan prestasi elektrik
Emel Perkhidmatan:
[email protected]
>
SIS439DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
1400 Pcs Baru Asli Dalam Stok
P-Channel 30 V 50A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Minta Sebut Harga
(Berlayar esok)
*Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (119 Penilaian)
SIS439DNT-T1-GE3
Gambaran Produk
12786451
DiGi Electronics Nombor Bahagian
SIS439DNT-T1-GE3-DGPengeluar
Vishay Siliconix
SIS439DNT-T1-GE3
Penerangan
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8SInventori
1400 Pcs Baru Asli Dalam Stok
P-Channel 30 V 50A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
Pembelian dan pertanyaan
Waranti & Pemulangan
Cara Untuk Memesan
Penghantaran & Penghantaran
Jaminan Kualiti
Jaminan Kualiti 365 Hari - Setiap bahagian disokong sepenuhnya.
Pengembalian Wang 90 Hari atau Pertukaran - Bahagian Rosak? Tiada masalah.
Stok Terhad, Tempah Sekarang - Dapatkan alat ganti yang boleh dipercayai tanpa risau.
Penghantaran Global & Pembungkusan Selamat
Penghantaran Seluruh Dunia dalam 3-5 Hari Perniagaan
Pembungkusan Anti-Statik ESD 100%
Pengesanan Masa Nyata untuk Setiap Pesanan
Pembayaran Selamat & Fleksibel
Kad Kredit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pemindahan Telegraphic (T/T) dan lain-lain
Semua pembayaran disulitkan untuk keselamatan
SIS439DNT-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
Transistor, FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pembungkusan
-
Siri
TrenchFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.8V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2135 pF @ 15 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Suhu Operasi
-50°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8S
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8S
Nombor Produk Asas
SIS439
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Muat Turun SIS439DNT-T1-GE3 Spesifikasi Produk (PDF)
Lembaran Data HTML
SIS439DNT-T1-GE3-DG
Helaian data
SIS439DNT
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
SIS439DNT-T1-GE3DKR
SIS439DNT-T1-GE3TR
SIS439DNT-T1-GE3CT
Suku Cadang Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
PENGELUAR
JUMLAH TERSATU
NOMBOR BAHAGIAN
HARGA UNIT
JENIS SUBSTITUSI
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
迅速な発送に感謝しています。商品も信頼できる品質で長く使えそうです。
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
DiGi Electronics’s customer support team is always ready to troubleshoot and assist.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
DiGi Electronics delivers fantastic value—affordable prices combined with careful packaging.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
The diverse assortment of products ensures that customers find the perfect fit for their requirements.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
The shipping process is very efficient, and their response time is amazing.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
I’ve had positive experiences with their quick support and delivery.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Soalan Lazim (FAQ)
Apakah ciri utama MOSFET P-Wenang Vishay SIS439DNT-T1-GE3?
Vishay SIS439DNT-T1-GE3 adalah MOSFET P-Wenang yang berkelayakan untuk voltan sumber-penitisan sebanyak 30V dan arus sumber berterusan sebanyak 50A, direka untuk penukaran kuasa berkecekapan tinggi dengan Rds On yang rendah dan pengepakan PowerPAK® 1212-8S permukaan-mount.
Adakah MOSFET P-Wenang ini sesuai untuk aplikasi suhu tinggi?
Ya, MOSFET ini boleh beroperasi dalam julat suhu dari -50°C hingga 150°C (TJ), menjadikannya sesuai untuk persekitaran suhu tinggi sambil mengekalkan prestasi yang boleh dipercayai.
Bolehkah MOSFET ini menampung penyerapan kuasa yang tinggi dan apakah had kuasa maksimum?
Peranti ini mampu menyalurkan sehingga 3.8W dalam keadaan atmosfera dan sehingga 52.1W pada suhu kes (Tc), memastikan pengurusan kuasa yang cekap dalam litar anda.
Adakah Vishay SIS439DNT-T1-GE3 serasi dengan reka bentuk PCB permukaan-mount standard?
Ya, ia mempunyai pengepakan PowerPAK® 1212-8S permukaan-mount, menjadikannya serasi dengan pemasangan PCB standard dan sesuai untuk reka bentuk modul kuasa yang padat.
Adakah MOSFET ini mematuhi piawaian RoHS dan apakah ketersediaannya?
MOSFET ini mematuhi RoHS3, memastikan pengilangan yang mesra alam, dan setakat ini, terdapat 1610 unit dalam stok untuk pembelian segera.
Jaminan Kualiti (QC)
DiGi memastikan kualiti dan keaslian setiap komponen elektronik melalui pemeriksaan profesional dan pensampelan kumpulan, menjamin sumber yang boleh dipercayai, prestasi yang stabil, dan pematuhan kepada spesifikasi teknikal, membantu pelanggan mengurangkan risiko rantaian bekalan dan menggunakan komponen dengan keyakinan dalam pengeluaran.
SIS439DNT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIS439DNT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
