SIS439DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (110 Penilaian)

SIS439DNT-T1-GE3

Gambaran Produk

12786451

DiGi Electronics Nombor Bahagian

SIS439DNT-T1-GE3-DG
SIS439DNT-T1-GE3

Penerangan

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S

Inventori

RFQ Dalam Talian
P-Channel 30 V 50A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Kuantiti
Minimum 1

Pembelian dan pertanyaan

RFQ (Permintaan Sebut Harga)

Anda boleh menghantar pertanyaan RFQ anda terus di halaman butiran produk atau halaman RFQ. Pasukan jualan kami akan memberikan maklum balas terhadap permintaan anda dalam masa 24 jam.

Kaedah Pembayaran

Kami menawarkan beberapa kaedah pembayaran yang mudah termasuk PayPal (disyorkan untuk pelanggan baru), Kad Kredit, dan Pemindahan Wang (T/T) melalui USD, EUR, HKD dan lain-lain.

PENGUMUMAN PENTING

Selepas anda menghantar RFQ, anda akan menerima emel di peti masuk anda mengenai penerimaan pertanyaan anda. Jika anda tidak menerimanya, alamat emel kami mungkin telah dikenal pasti sebagai spam. Sila periksa folder spam anda dan tambahkan alamat emel kami [email protected] ke dalam senarai putih anda untuk memastikan bahawa anda menerima sebut harga kami. Oleh kerana kemungkinan perubahan inventori dan harga, pasukan jualan kami perlu mengesahkan semula pertanyaan atau pesanan anda dan menghantar sebarang kemas kini kepada anda melalui emel dalam waktu yang tepat. Jika anda mempunyai sebarang soalan lain atau memerlukan bantuan tambahan, sila berasa bebas untuk memberitahu kami.

Minta Sebut Harga(Berlayar esok)
Kuantiti
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

SIS439DNT-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal

Kategori FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET

Pengeluar Vishay

Pembungkusan -

Siri TrenchFET®

Status Produk Obsolete

Jenis FET P-Channel

Teknologi MOSFET (Metal Oxide)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss) 30 V

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C 50A (Tc)

Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup) 4.5V, 10V

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs 11mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id 2.8V @ 250µA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs 68 nC @ 10 V

Vgs (Maks) ±20V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds 2135 pF @ 15 V

Ciri FET -

Pelesapan Kuasa (Maks) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)

Suhu Operasi -50°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan Surface Mount

Pakej Peranti Pembekal PowerPAK® 1212-8S

Pakej / Kes PowerPAK® 1212-8S

Nombor Produk Asas SIS439

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data HTML

SIS439DNT-T1-GE3-DG

Helaian data

SIS439DNT

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
3,000
Nama lain
SIS439DNT-T1-GE3DKR
SIS439DNT-T1-GE3TR
SIS439DNT-T1-GE3CT

Model Alternatif

NOMBOR BAHAGIAN
PENGELUAR
JUMLAH TERSATU
NOMBOR BAHAGIAN
HARGA UNIT
JENIS SUBSTITUSI
FDMC6679AZ
onsemi
70
FDMC6679AZ-DG
0.49
MFR Recommended
BSZ086P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
6668
BSZ086P03NS3GATMA1-DG
0.29
MFR Recommended
SISH402DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
30
SISH402DN-T1-GE3-DG
0.32
MFR Recommended
DMG7401SFG-13
Diodes Incorporated
1455
DMG7401SFG-13-DG
0.15
MFR Recommended
BSZ086P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
6713
BSZ086P03NS3EGATMA1-DG
0.29
MFR Recommended
Sijil DIGI
Blog dan Catatan