Pencegahan penipuan dan kecacatan
Pemeriksaan visual dan pembungkusan
Pengesahan prestasi elektrik
Emel Perkhidmatan:
[email protected]
>
SIR670DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
3194 Pcs Baru Asli Dalam Stok
N-Channel 60 V 60A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Minta Sebut Harga
(Berlayar esok)
*Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (40 Penilaian)
SIR670DP-T1-GE3
Gambaran Produk
12786783
DiGi Electronics Nombor Bahagian
SIR670DP-T1-GE3-DGPengeluar
Vishay Siliconix
SIR670DP-T1-GE3
Penerangan
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8Inventori
3194 Pcs Baru Asli Dalam Stok
N-Channel 60 V 60A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
Pembelian dan pertanyaan
Waranti & Pemulangan
Cara Untuk Memesan
Penghantaran & Penghantaran
Jaminan Kualiti
Jaminan Kualiti 365 Hari - Setiap bahagian disokong sepenuhnya.
Pengembalian Wang 90 Hari atau Pertukaran - Bahagian Rosak? Tiada masalah.
Stok Terhad, Tempah Sekarang - Dapatkan alat ganti yang boleh dipercayai tanpa risau.
Penghantaran Global & Pembungkusan Selamat
Penghantaran Seluruh Dunia dalam 3-5 Hari Perniagaan
Pembungkusan Anti-Statik ESD 100%
Pengesanan Masa Nyata untuk Setiap Pesanan
Pembayaran Selamat & Fleksibel
Kad Kredit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pemindahan Telegraphic (T/T) dan lain-lain
Semua pembayaran disulitkan untuk keselamatan
SIR670DP-T1-GE3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
Transistor, FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pembungkusan
-
Siri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.8V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2815 pF @ 30 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
5W (Ta), 56.8W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Nombor Produk Asas
SIR670
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Muat Turun SIR670DP-T1-GE3 Spesifikasi Produk (PDF)
Lukisan Produk
PowerPak SO-8 Drawing
Lembaran Data HTML
SIR670DP-T1-GE3-DG
Helaian data
SIR670DP
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
3,000
Nama lain
SIR670DP-T1-GE3DKR
SIR670DP-T1-GE3TR
SIR670DP-T1-GE3CT
Suku Cadang Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
PENGELUAR
JUMLAH TERSATU
NOMBOR BAHAGIAN
HARGA UNIT
JENIS SUBSTITUSI
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
届くまでのスピードが速く、サポートも丁寧で安心です。
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
We look forward to continuing our fruitful partnership with DiGi Electronics.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
DiGi Electronics consistently ships my urgent orders quickly, saving me time and hassle.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
On-time delivery coupled with precise tracking made for an exceptional retail experience.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
The transparency in their pricing helps me make confident purchase decisions.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
Post-purchase support included detailed instructions, which were very helpful.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Soalan Lazim (FAQ)
Apakah ciri utama MOSFET Vishay SIR670DP-T1-GE3?
Vishay SIR670DP-T1-GE3 merupakan MOSFET Berwayar N dengan penarafan voltan 60V, keupayaan arus tegangan berterusan sebanyak 60A, dan Rds On yang rendah sebanyak 4.8mΩ. Ia direka untuk dipasang di permukaan menggunakan pembungkusan PowerPAK® SO-8, sesuai untuk aplikasi kuasa bercekapan tinggi.
Adakah Vishay SIR670DP-T1-GE3 sesuai untuk litar kuasa berarus tinggi?
Ya, MOSFET ini direka untuk mengendalikan sehingga 60A arus drain berterusan pada suhu 25°C dan mempunyai Rds On yang rendah untuk pensuisan kuasa yang berkesan, menjadikannya ideal untuk pengurusan kuasa berarus tinggi.
Apakah penggunaan biasa bagi MOSFET ini?
MOSFET ini sesuai digunakan dalam sumber kuasa, kawalan motor, penukar DC-DC, serta aplikasi pensuisan kuasa bercekapan tinggi lain berikutan kapasiti arus tinggi dan rintangan on yang rendah.
Adakah Vishay SIR670DP-T1-GE3 serasi dengan proses rakitan permukaan standard?
Ya, ia dilengkapi dengan pembungkusan PowerPAK® SO-8, yang serasi dengan teknik pemasangan permukaan (SMT) standard, memudahkan integrasi ke dalam pelbagai reka bentuk elektronik.
Jenis jaminan dan sokongan selepas jualan apa yang boleh saya harapkan apabila membeli MOSFET ini?
Sebagai item stok asli yang baharu, ia disokong oleh jaminan kualiti daripada pengeluar. Anda boleh menghubungi pembekal untuk sokongan, dan produk ini mematuhi piawaian RoHS3, memastikan keselamatan alam sekitar dan kebolehpercayaan.
Jaminan Kualiti (QC)
DiGi memastikan kualiti dan keaslian setiap komponen elektronik melalui pemeriksaan profesional dan pensampelan kumpulan, menjamin sumber yang boleh dipercayai, prestasi yang stabil, dan pematuhan kepada spesifikasi teknikal, membantu pelanggan mengurangkan risiko rantaian bekalan dan menggunakan komponen dengan keyakinan dalam pengeluaran.
SIR670DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR670DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
