Substandard and counterfeit detection
Failure analysis
Lifecycle and reliability testing
Electrical testing
Emel Perkhidmatan:
[email protected]
SIHP24N65E-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
16982 Pcs Baru Asli Dalam Stok
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Minta Sebut Harga
(Berlayar esok)
*Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (191 Penilaian)
SIHP24N65E-E3
Gambaran Produk
12786510
DiGi Electronics Nombor Bahagian
SIHP24N65E-E3-DGPengeluar
Vishay Siliconix
SIHP24N65E-E3
Penerangan
MOSFET N-CH 650V 24A TO220ABInventori
16982 Pcs Baru Asli Dalam Stok
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
Pembelian dan pertanyaan
Waranti & Pemulangan
Cara Untuk Memesan
Penghantaran & Penghantaran
Jaminan Kualiti & Pemulangan
Jaminan Kualiti 365 Hari - Setiap bahagian disokong sepenuhnya.
Pengembalian Wang 90 Hari atau Pertukaran - Bahagian Rosak? Tiada masalah.
Stok Terhad, Tempah Sekarang - Dapatkan alat ganti yang boleh dipercayai tanpa risau.
Penghantaran Global & Pembungkusan Selamat
Penghantaran Seluruh Dunia dalam 3-5 Hari Perniagaan
Pembungkusan Anti-Statik ESD 100%
Pengesanan Masa Nyata untuk Setiap Pesanan
Pembayaran Selamat & Fleksibel
Kad Kredit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pemindahan Telegraphic (T/T) dan lain-lain
Semua pembayaran disulitkan untuk keselamatan
SIHP24N65E-E3 Spesifikasi Teknikal
Kategori
Transistor, FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
24A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2740 pF @ 100 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
250W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220AB
Pakej / Kes
TO-220-3
Nombor Produk Asas
SIHP24
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Muat Turun SIHP24N65E-E3 Spesifikasi Produk (PDF)
Lembaran Data HTML
SIHP24N65E-E3-DG
Helaian data
SIHG24N65E
Packaging Information
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
1,000
Nama lain
SIHP24N65EE3
Model Alternatif
NOMBOR BAHAGIAN
PENGELUAR
JUMLAH TERSATU
NOMBOR BAHAGIAN
HARGA UNIT
JENIS SUBSTITUSI
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
포장 상태가 일관되게 좋아서 언제나 믿고 주문할 수 있어요. 배송 추적도 정확하고 빠르게 확인 가능했습니다.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
The eco packaging was easy to recycle and showed real concern for the environment.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
I appreciate their commitment to providing quality at a friendly price point.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Soalan Lazim (FAQ)
Apakah ciri utama MOSFET N-kanal Vishay SIHP24N65E-E3?
Vishay SIHP24N65E-E3 adalah MOSFET N-kanal bervoltan tinggi dengan penarafan voltan sebanyak 650V dan arus salur tanpa henti sebanyak 24A. Ia mempunyai pakej TO-220AB, Rds On yang rendah iaitu 145mΩ pada 12A, dan sesuai digunakan dalam aplikasi penukaran kuasa berprestasi tinggi.
Adakah MOSFET Vishay SIHP24N65E-E3 sesuai untuk penukaran kuasa bervolt tinggi?
Ya, dengan voltan sumber-ke-drain sebanyak 650V, MOSFET ini sesuai untuk penukaran kuasa bervolt tinggi dan aplikasi industri yang memerlukan pengendalian voltan yang kukuh serta prestasi yang boleh dipercayai.
Apakah julat suhu operasi maksimum bagi MOSFET ini?
MOSFET ini boleh beroperasi dengan berkesan dalam julat suhu dari -55°C hingga 150°C, menjadikannya sesuai digunakan dalam pelbagai persekitaran yang menuntut dan keadaan termal yang kompleks.
Sejauh mana keserasian Vishay SIHP24N65E-E3 dengan rangkaian elektrik yang berbeza?
MOSFET ini menggunakan pakej standard TO-220AB serta memerlukan voltan pemacu sekitar 10V untuk Rds On yang optimum, menjadikannya serasi dengan kebanyakan reka bentuk litar kuasa dan pemacu yang digunakan dalam industri.
Apakah kelebihan menggunakan MOSFET Vishay SIHP24N65E-E3 berbanding peranti serupa?
Kelebihannya termasuk penarafan voltan yang tinggi, Rds On yang rendah, serta kapasiti penyerapan kuasa yang tinggi (sehingga 250W), membolehkan pengendalian tenaga yang cekap dan prestasi thermal yang baik, sesuai untuk aplikasi berkuasa tinggi dan tugas penukaran yang menuntut.
DiGi provide top-quality products and perfect service for
customer worldwide through standardization, technological
innovation andcontinuous improvement .Buyers need more than
just electronic parts. They need security.
All the electronics components will pass QC, make sure all the
parts are working perfect. Save your time and your money is
our poiver.
SIHP24N65E-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHP24N65E-E3 PCB symbols & footprints
productDetail
