Pencegahan penipuan dan kecacatan
Pemeriksaan visual dan pembungkusan
Pengesahan prestasi elektrik
Emel Perkhidmatan:
[email protected]
>
IRFBG30PBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
30468 Pcs Baru Asli Dalam Stok
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Minta Sebut Harga
(Berlayar esok)
*Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (314 Penilaian)
IRFBG30PBF
Gambaran Produk
12852836
DiGi Electronics Nombor Bahagian
IRFBG30PBF-DGPengeluar
Vishay Siliconix
IRFBG30PBF
Penerangan
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220ABInventori
30468 Pcs Baru Asli Dalam Stok
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
Pembelian dan pertanyaan
Waranti & Pemulangan
Cara Untuk Memesan
Penghantaran & Penghantaran
Jaminan Kualiti
Jaminan Kualiti 365 Hari - Setiap bahagian disokong sepenuhnya.
Pengembalian Wang 90 Hari atau Pertukaran - Bahagian Rosak? Tiada masalah.
Stok Terhad, Tempah Sekarang - Dapatkan alat ganti yang boleh dipercayai tanpa risau.
Penghantaran Global & Pembungkusan Selamat
Penghantaran Seluruh Dunia dalam 3-5 Hari Perniagaan
Pembungkusan Anti-Statik ESD 100%
Pengesanan Masa Nyata untuk Setiap Pesanan
Pembayaran Selamat & Fleksibel
Kad Kredit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pemindahan Telegraphic (T/T) dan lain-lain
Semua pembayaran disulitkan untuk keselamatan
IRFBG30PBF Spesifikasi Teknikal
Kategori
Transistor, FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pembungkusan
Tube
Siri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1000 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
980 pF @ 25 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
125W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal
TO-220AB
Pakej / Kes
TO-220-3
Nombor Produk Asas
IRFBG30
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Muat Turun IRFBG30PBF Spesifikasi Produk (PDF)
Lembaran Data HTML
IRFBG30PBF-DG
Helaian data
IRFBG30
Packaging Information
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
50
Nama lain
*IRFBG30PBF
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
J'apprécie leur souci du détail pour l'emballage, cela témoigne de leur sérieux et professionnalisme.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
DiGi Electronics maintains a high level of professionalism in all customer interactions.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
Overall, the website's usability and customer service exceeded my expectations.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
Delivery updates were consistent and helped me stay informed without needing to contact support.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
Their customer support after purchase is always prompt and helpful.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
The welcoming staff and affordable prices make DiGi Electronics my top choice.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
I appreciate their attentive after-sales service and quick responses.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
Efficient login and account management features simplify repeat purchases.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
Their after-sales assistance has been consistently reliable.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Soalan Lazim (FAQ)
Apakah ciri utama MOSFET IRFBG30PBF?
IRFBG30PBF ialah MOSFET saluran-N dengan nilai voltan sebanyak 1000V dan arus drain berterusan sebanyak 3.1A. Ia mempunyai pakej TO-220AB dan sesuai untuk aplikasi suis voltan tinggi dengan daya penjimatan maksimum sebanyak 125W.
Adakah MOSFET IRFBG30PBF serasi dengan litar elektronik standard?
Ya, IRFBG30PBF direka untuk pemasangan melalui lubang dan boleh dengan mudah digabungkan ke dalam pelbagai litar elektronik kuasa. Nilai Vgs maksimumnya ialah ±20V, menjadikannya serasi dengan isyarat kawalan biasa yang digunakan dalam banyak aplikasi.
Apakah aplikasi tipikal untuk MOSFET 1000V ini?
MOSFET ini sesuai digunakan dalam bekalan kuasa voltan tinggi, kawalan motor, pemanasan induksi, dan aplikasi lain yang memerlukan suis voltan tinggi yang cekap serta prestasi yang boleh dipercayai.
Apakah kelebihan menggunakan MOSFET IRFBG30PBF berbanding peranti serupa lain?
IRFBG30PBF menawarkan nilai voltan tinggi sebanyak 1000V, Rds On yang rendah iaitu 5Ω, dan pakej TO-220AB yang kukuh, menjadikannya sesuai untuk aplikasi kuasa yang menuntut dengan pengurusan haba yang cemerlang dan ketahanan yang tinggi.
Bagaimanakah saya boleh memastikan operasi dan keselamatan yang betul semasa menggunakan MOSFET IRFBG30PBF?
Pastikan voltan kawalan pintu tidak melebihi ±20V dan beroperasi dalam julat suhu yang disyorkan iaitu dari -55°C hingga 150°C. Penyejuk haba yang sesuai dan penempatan litar yang tepat akan membantu mencapai prestasi optimum dan jangka hayat yang panjang.
Jaminan Kualiti (QC)
DiGi memastikan kualiti dan keaslian setiap komponen elektronik melalui pemeriksaan profesional dan pensampelan kumpulan, menjamin sumber yang boleh dipercayai, prestasi yang stabil, dan pematuhan kepada spesifikasi teknikal, membantu pelanggan mengurangkan risiko rantaian bekalan dan menggunakan komponen dengan keyakinan dalam pengeluaran.
IRFBG30PBF CAD Models
Vishay Siliconix IRFBG30PBF PCB symbols & footprints
productDetail
