IRF6691TR1PBF >
IRF6691TR1PBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
3705 Pcs Baru Asli Dalam Stok
N-Channel 20 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Minta Sebut Harga (Berlayar esok)
*Kuantiti
Minimum 1
IRF6691TR1PBF Infineon Technologies
5.0 / 5.0 - (254 Penilaian)

IRF6691TR1PBF

Gambaran Produk

12857091

DiGi Electronics Nombor Bahagian

IRF6691TR1PBF-DG
IRF6691TR1PBF

Penerangan

MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET

Inventori

3705 Pcs Baru Asli Dalam Stok
N-Channel 20 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Kuantiti
Minimum 1

Pembelian dan pertanyaan

Jaminan Kualiti

Jaminan Kualiti 365 Hari - Setiap bahagian disokong sepenuhnya.

Pengembalian Wang 90 Hari atau Pertukaran - Bahagian Rosak? Tiada masalah.

Stok Terhad, Tempah Sekarang - Dapatkan alat ganti yang boleh dipercayai tanpa risau.

Penghantaran Global & Pembungkusan Selamat

Penghantaran Seluruh Dunia dalam 3-5 Hari Perniagaan

Pembungkusan Anti-Statik ESD 100%

Pengesanan Masa Nyata untuk Setiap Pesanan

Pembayaran Selamat & Fleksibel

Kad Kredit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pemindahan Telegraphic (T/T) dan lain-lain

Semua pembayaran disulitkan untuk keselamatan

Dalam Stok (Semua harga adalah dalam USD)
  • Kuantiti Harga Sasaran Jumlah Harga
  • 1 1.8519 1.8519
Harga Lebih Baik melalui RFQ Dalam Talian.
Minta Sebut Harga (Berlayar esok)
* Kuantiti
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

IRF6691TR1PBF Spesifikasi Teknikal

Kategori Transistor, FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET

Pembungkusan -

Siri HEXFET®

Status Produk Obsolete

Jenis FET N-Channel

Teknologi MOSFET (Metal Oxide)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss) 20 V

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C 32A (Ta), 180A (Tc)

Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup) 4.5V, 10V

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs 71 nC @ 4.5 V

Vgs (Maks) ±12V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds 6580 pF @ 10 V

Ciri FET -

Pelesapan Kuasa (Maks) 2.8W (Ta), 89W (Tc)

Suhu Operasi -40°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan Surface Mount

Pakej Peranti Pembekal DIRECTFET™ MT

Pakej / Kes DirectFET™ Isometric MT

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data HTML

IRF6691TR1PBF-DG

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
1,000
Nama lain
IRF6691TR1PBFCT
SP001530288
IRF6691TR1PBFTR
IRF6691TR1PBFDKR

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
ハ***ユキ
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
5.0
お得な価格で良質な商品を購入できて大満足です。スタッフもフレンドリーで、初めての方でも安心して買い物できると思います。
Wild***sper
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
5.0
Their account managers are attentive and ensure our account needs are met efficiently.
Radia***Quest
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
5.0
The shipping was incredibly fast, and the packaging was so robust that nothing was disturbed.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

Soalan Lazim (FAQ)

Apa ciri utama MOSFET IRF6691TR1PBF?

IRF6691TR1PBF adalah MOSFET jenis N-kanal berprestasi tinggi dengan voltan sumber-ke-drain maksimum sebanyak 20V dan arus sumber berterusan sebanyak 32A. Ia menampilkan Rds On yang rendah sebanyak 1.8mOhm serta pakej DirectFET™ permukaan-mount yang sesuai untuk aplikasi penukaran kuasa yang cekap.

Adakah IRF6691TR1PBF sesuai untuk litar kuasa berarus tinggi?

Ya, MOSFET ini mampu mengendalikan arus tinggi sehingga 180A pada suhu casing, menjadikannya sesuai untuk litar kuasa yang memerlukan penukaran arus tinggi dan kerugian rintangan rendah.

Apakah julat suhu operasi untuk MOSFET IRF6691TR1PBF?

IRF6691TR1PBF berfungsi secara efektif dalam julat suhu antara -40°C hingga 150°C, memastikan prestasi yang boleh dipercayai dalam pelbagai keadaan suhu.

Adakah IRF6691TR1PBF serasi dengan voltan gerbang standard?

Ya, ia menyokong voltan gerbang maksimum sebanyak ±12V dan dioptimumkan untuk voltan pemacu sebanyak 4.5V dan 10V, menjadikannya serasi dengan litar pemacu gerbang yang biasa digunakan.

Bagaimana MOSFET IRF6691TR1PBF dapat memberi manfaat kepada reka bentuk elektronik saya dan adakah ia mudah didapati?

MOSFET ini menawarkan Rds On yang rendah, keupayaan arus tinggi, serta penyejukan kuasa yang cekap, meningkatkan kecekapan litar anda. Ia kini tersedia dalam stok dan sesuai untuk pelbagai aplikasi profesional.

Jaminan Kualiti (QC)

DiGi memastikan kualiti dan keaslian setiap komponen elektronik melalui pemeriksaan profesional dan pensampelan kumpulan, menjamin sumber yang boleh dipercayai, prestasi yang stabil, dan pematuhan kepada spesifikasi teknikal, membantu pelanggan mengurangkan risiko rantaian bekalan dan menggunakan komponen dengan keyakinan dalam pengeluaran.

Jaminan Kualiti
Pencegahan penipuan dan kecacatan

Pencegahan penipuan dan kecacatan

Penapisan menyeluruh untuk mengenal pasti komponen palsu, diperbaiki semula, atau cacat, memastikan hanya bahagian yang asli dan mematuhi piawaian dihantar.

Pemeriksaan visual dan pembungkusan

Pemeriksaan visual dan pembungkusan

Pengesahan prestasi elektrik

Pengesahan penampilan komponen, tanda, kod tarikh, integriti pembungkusan, dan konsistensi label untuk memastikan jejak dan kesesuaian.

Penilaian Kehidupan dan Kebolehpercayaan

Sijil DiGi
Blog dan Catatan
IRF6691TR1PBF CAD Models
productDetail
Please log in first.
Belum mempunyai akaun? Daftar