IPB019N06L3GATMA1 >
IPB019N06L3GATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
1000100 Pcs Baru Asli Dalam Stok
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Minta Sebut Harga (Berlayar esok)
*Kuantiti
Minimum 1
IPB019N06L3GATMA1 Infineon Technologies
5.0 / 5.0 - (358 Penilaian)

IPB019N06L3GATMA1

Gambaran Produk

12857648

DiGi Electronics Nombor Bahagian

IPB019N06L3GATMA1-DG
IPB019N06L3GATMA1

Penerangan

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Inventori

1000100 Pcs Baru Asli Dalam Stok
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Kuantiti
Minimum 1

Pembelian dan pertanyaan

Jaminan Kualiti

Jaminan Kualiti 365 Hari - Setiap bahagian disokong sepenuhnya.

Pengembalian Wang 90 Hari atau Pertukaran - Bahagian Rosak? Tiada masalah.

Stok Terhad, Tempah Sekarang - Dapatkan alat ganti yang boleh dipercayai tanpa risau.

Penghantaran Global & Pembungkusan Selamat

Penghantaran Seluruh Dunia dalam 3-5 Hari Perniagaan

Pembungkusan Anti-Statik ESD 100%

Pengesanan Masa Nyata untuk Setiap Pesanan

Pembayaran Selamat & Fleksibel

Kad Kredit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pemindahan Telegraphic (T/T) dan lain-lain

Semua pembayaran disulitkan untuk keselamatan

Dalam Stok (Semua harga adalah dalam USD)
  • Kuantiti Harga Sasaran Jumlah Harga
  • 1 24.0480 24.0480
Harga Lebih Baik melalui RFQ Dalam Talian.
Minta Sebut Harga (Berlayar esok)
* Kuantiti
Minimum 1
(*) adalah wajib
Kami akan menghubungi anda dalam masa 24 jam

IPB019N06L3GATMA1 Spesifikasi Teknikal

Kategori Transistor, FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET

Pembungkusan Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Siri OptiMOS™

Status Produk Active

Jenis FET N-Channel

Teknologi MOSFET (Metal Oxide)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss) 60 V

Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C 120A (Tc)

Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup) 4.5V, 10V

Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id 2.2V @ 196µA

Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs 166 nC @ 4.5 V

Vgs (Maks) ±20V

Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds 28000 pF @ 30 V

Ciri FET -

Pelesapan Kuasa (Maks) 250W (Tc)

Suhu Operasi -55°C ~ 175°C (TJ)

Jenis Pemasangan Surface Mount

Pakej Peranti Pembekal PG-TO263-3

Pakej / Kes TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Nombor Produk Asas IPB019

Lembaran data & Dokumen

Lembaran Data HTML

IPB019N06L3GATMA1-DG

Helaian data

IPB019N06L3 G

Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport

RoHS Status ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Maklumat Tambahan

Pakej Standard
1,000
Nama lain
IPB019N06L3 G-DG
IPB019N06L3G
IPB019N06L3 G
IPB019N06L3 GDKR-DG
IPB019N06L3GATMA1CT
IPB019N06L3 GDKR
IPB019N06L3GATMA1TR
IPB019N06L3 GCT-DG
IPB019N06L3GATMA1DKR
IPB019N06L3 GCT
IPB019N06L3 GTR-DG
SP000453020

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Fanta***Falter
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
5.0
Die Logistik ist auf höchstem Niveau. Meine Bestellungen kommen immer pünktlich und in einwandfreiem Zustand an.
Swee***cape
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
5.0
DiGi Electronics' quick dispatch and professional follow-up have exceeded my expectations each time.
Brig***inds
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
5.0
I value the consistent quality and support provided by DiGi Electronics.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

Soalan Lazim (FAQ)

Apakah ciri utama MOSFET Infineon OptiMOS™ N-Channel (IPB019N06L3GATMA1)?

MOSFET ini menampilkan tegangan drain-ke-sumber sebanyak 60V, arus drain berterusan sebanyak 120A, Rds On yang rendah iaitu 1.9mΩ pada 10V, dan penyejukan kuasa sehingga 250W, menjadikannya sesuai untuk aplikasi suis berprestasi tinggi.

Adakah Infineon IPB019N06L3GATMA1 serasi dengan rekabentuk bekalan kuasa yang biasa digunakan?

Ya, MOSFET permukaan mounted ini serasi dengan litar bekalan kuasa piawai, terutamanya yang memerlukan suis pantas dan kecekapan tinggi, disebabkan oleh Rds On yang rendah dan pilihan voltan penggerak sebanyak 4.5V dan 10V.

Apakah kegunaan MOSFET 60V ini dalam bidang elektronik?

MOSFET ini biasa digunakan dalam penukar kuasa, pemacu motor, dan aplikasi suis berarus tinggi lain kerana kapasiti arusnya yang tinggi dan ciri-ciri kecekapan yang cemerlang.

Adakah MOSFET ini memenuhi standard alam sekitar dan keselamatan?

Ya, ia mematuhi piawaian RoHS3 dan tidak terjejas oleh peraturan REACH, memastikan ia memenuhi standard keselamatan alam sekitar moden, serta mempunyai tahap sensitiviti kelembapan sebanyak 1, sesuai untuk digunakan dalam industri yang memerlukan kebergantungan tinggi.

Bagaimana pembungkusan MOSFET ini memudahkan pemasangan dan pembuatan?

Peranti ini dibungkus dalam pakej Tape & Reel (TR) dengan jenis casem PG-TO263-3 (D2PAK), menyokong pemasangan automatik permukaan dan proses pembuatan secara pukal yang mudah.

Jaminan Kualiti (QC)

DiGi memastikan kualiti dan keaslian setiap komponen elektronik melalui pemeriksaan profesional dan pensampelan kumpulan, menjamin sumber yang boleh dipercayai, prestasi yang stabil, dan pematuhan kepada spesifikasi teknikal, membantu pelanggan mengurangkan risiko rantaian bekalan dan menggunakan komponen dengan keyakinan dalam pengeluaran.

Jaminan Kualiti
Pencegahan penipuan dan kecacatan

Pencegahan penipuan dan kecacatan

Penapisan menyeluruh untuk mengenal pasti komponen palsu, diperbaiki semula, atau cacat, memastikan hanya bahagian yang asli dan mematuhi piawaian dihantar.

Pemeriksaan visual dan pembungkusan

Pemeriksaan visual dan pembungkusan

Pengesahan prestasi elektrik

Pengesahan penampilan komponen, tanda, kod tarikh, integriti pembungkusan, dan konsistensi label untuk memastikan jejak dan kesesuaian.

Penilaian Kehidupan dan Kebolehpercayaan

Sijil DiGi
Blog dan Catatan
IPB019N06L3GATMA1 CAD Models
productDetail
Please log in first.
Belum mempunyai akaun? Daftar