Pencegahan penipuan dan kecacatan
Pemeriksaan visual dan pembungkusan
Pengesahan prestasi elektrik
Emel Perkhidmatan:
[email protected]
>
BSZ060NE2LSATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
30390 Pcs Baru Asli Dalam Stok
N-Channel 25 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Minta Sebut Harga
(Berlayar esok)
*Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (206 Penilaian)
BSZ060NE2LSATMA1
Gambaran Produk
12852804
DiGi Electronics Nombor Bahagian
BSZ060NE2LSATMA1-DGPengeluar
Infineon Technologies
BSZ060NE2LSATMA1
Penerangan
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSONInventori
30390 Pcs Baru Asli Dalam Stok
N-Channel 25 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Kuantiti
Minimum 1
Minimum 1
Pembelian dan pertanyaan
Waranti & Pemulangan
Cara Untuk Memesan
Penghantaran & Penghantaran
Jaminan Kualiti
Jaminan Kualiti 365 Hari - Setiap bahagian disokong sepenuhnya.
Pengembalian Wang 90 Hari atau Pertukaran - Bahagian Rosak? Tiada masalah.
Stok Terhad, Tempah Sekarang - Dapatkan alat ganti yang boleh dipercayai tanpa risau.
Penghantaran Global & Pembungkusan Selamat
Penghantaran Seluruh Dunia dalam 3-5 Hari Perniagaan
Pembungkusan Anti-Statik ESD 100%
Pengesanan Masa Nyata untuk Setiap Pesanan
Pembayaran Selamat & Fleksibel
Kad Kredit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Pemindahan Telegraphic (T/T) dan lain-lain
Semua pembayaran disulitkan untuk keselamatan
BSZ060NE2LSATMA1 Spesifikasi Teknikal
Kategori
Transistor, FETs, MOSFETs, FET Tunggal, MOSFET
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Siri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
25 V
Arus - longkang berterusan (id) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Voltan Pemacu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Rds Pada (Maks) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Caj Pintu (Qg) (Maks) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kemuatan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
670 pF @ 12 V
Ciri FET
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
2.1W (Ta), 26W (Tc)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal
PG-TSDSON-8-FL
Pakej / Kes
8-PowerTDFN
Nombor Produk Asas
BSZ060
Lembaran data & Dokumen
Lembaran Data
Muat Turun BSZ060NE2LSATMA1 Spesifikasi Produk (PDF)
Lembaran Data HTML
BSZ060NE2LSATMA1-DG
Helaian data
BSZ060NE2LS
Klasifikasi Alam Sekitar & Eksport
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tahap Sensitiviti Kelembapan (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Maklumat Tambahan
Pakej Standard
5,000
Nama lain
BSZ060NE2LS
BSZ060NE2LS-DG
BSZ060NE2LSATMA1CT
BSZ060NE2LSDKR-DG
BSZ060NE2LSCT-DG
SP000776122
BSZ060NE2LSTR-DG
BSZ060NE2LSATMA1DKR
BSZ060NE2LSDKR
BSZ060NE2LSATMA1TR
BSZ060NE2LSCT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
每次來都能享受到親切的服務，價格讓人感到物超所值。
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
Leur efficacité dans la gestion des livraisons et le support après-vente est remarquable.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
The affordability of their products allows me to stay within my budget.
ဒီဇင်ဘာ ၀၂, ၂၀၂၅
Their diverse product range allows for versatile use cases across different industries.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Soalan Lazim (FAQ)
Apakah ciri utama MOSFET Infineon OptiMOS™ N-Channel BSZ060NE2LSATMA1?
MOSFET ini menawarkan voltan salur ke sumber sebanyak 25V, arus saluran berterusan sehingga 12A, dan arus berdenyut sehingga 40A. Ia menampilkan Rds On yang rendah (6mΩ pada 20A, 10V) dan menyokong pelepasan kuasa tinggi, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi kuasa. Peranti ini bersifat permukaan pemasangan dan mematuhi piawaian RoHS3, memastikan pemasangan yang mudah dan keselamatan alam sekitar.
Apakah kegunaan biasa MOSFET N-Channel 25V ini dalam litar elektronik?
MOSFET ini sesuai digunakan untuk suis kuasa, kawalan motor, dan aplikasi pengurusan kuasa berkecekapan tinggi yang lain. Keupayaan arus yang tinggi dan Rds On yang rendah membantu mengurangkan kehilangan tenaga dan penjanaan haba dalam reka bentuk anda.
Adakah BSZ060NE2LSATMA1 serasi dengan voltan gerbang yang biasa digunakan, dan apakah tahap logiknya?
Ya, MOSFET ini dapat dikendalikan dengan berkesan menggunakan voltan gerbang-ke-sumber antara 4.5V hingga 10V, menjadikannya sesuai untuk litar kawalan berlevel logik. Ia mempunyai Vgs maksimum sebanyak \\pm20V dan voltan ambang sehingga 2V, memastikan operasi yang andal dalam tahap logik standard.
Apakah kelebihan memilih MOSFET Infineon ini berbanding produk serupa yang lain?
MOSFET ini menampilkan Rds On yang rendah, pelepasan kuasa yang tinggi, dan pakej permukaan kecil, yang bersama-sama menyediakan kecekapan tinggi dan pemasangan yang mudah. Parameter suhu dan elektrik yang kukuh menjadikannya sesuai untuk aplikasi kuasa yang menuntut dan keandalan jangka panjang.
Bagaimana cara saya membeli dan apakah jaminan atau sokongan untuk MOSFET BSZ060NE2LSATMA1?
MOSFET ini tersedia dalam pakej pita & gulung dengan stok lebih daripada 26,000 unit. Untuk maklumat sokongan dan jaminan, sila hubungi pembekal atau pengedar secara langsung, kerana mereka biasanya menawarkan bantuan teknikal dan menjamin kualiti produk bagi komponen standard.
Jaminan Kualiti (QC)
DiGi memastikan kualiti dan keaslian setiap komponen elektronik melalui pemeriksaan profesional dan pensampelan kumpulan, menjamin sumber yang boleh dipercayai, prestasi yang stabil, dan pematuhan kepada spesifikasi teknikal, membantu pelanggan mengurangkan risiko rantaian bekalan dan menggunakan komponen dengan keyakinan dalam pengeluaran.
BSZ060NE2LSATMA1 CAD Models
Infineon Technologies BSZ060NE2LSATMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
